ルネサス SRAMメモリ, 4 MB, 256k x 16, 12 ns, 44-Pin
- RS品番:
- 254-4966
- メーカー型番:
- 71V416S12PHGI
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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|---|---|---|
| 135 - 540 | ￥1,271.956 | ￥171,714 |
| 675 - 1215 | ￥1,259.119 | ￥169,981 |
| 1350 - 3240 | ￥1,233.956 | ￥166,584 |
| 3375 - 6615 | ￥1,209.274 | ￥163,252 |
| 6750 + | ￥1,185.037 | ￥159,980 |
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- RS品番:
- 254-4966
- メーカー型番:
- 71V416S12PHGI
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| メモリサイズ | 4MB | |
| プロダクトタイプ | SRAMメモリ | |
| 構成 | 256k x 16 | |
| ワード数 | 262144 Words | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16 | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 12ns | |
| アドレスバス幅 | 18bit | |
| タイミングタイプ | 非同期 | |
| 最小電源電圧 | 3V | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| ピン数 | 44 | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| シリーズ | 71V416 | |
| 規格 / 承認 | JEDECLVTTL-Compatible | |
| 高さ | 9mm | |
| 長さ | 9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| 供給電流 | 200mA | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
メモリサイズ 4MB | ||
プロダクトタイプ SRAMメモリ | ||
構成 256k x 16 | ||
ワード数 262144 Words | ||
1ワード当たりのビット数 16 | ||
最大ランダムアクセス時間 12ns | ||
アドレスバス幅 18bit | ||
タイミングタイプ 非同期 | ||
最小電源電圧 3V | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
ピン数 44 | ||
動作温度 Max 85°C | ||
シリーズ 71V416 | ||
規格 / 承認 JEDECLVTTL-Compatible | ||
高さ 9mm | ||
長さ 9mm | ||
自動車規格 なし | ||
供給電流 200mA | ||
ルネサスエレクトロニクスの非同期静的RAMセンターpwr & gndピンアウト4,194,304ビットの高速静的RAMは、256 K x 16として整理されています。高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端のテクノロジーは、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。出力イネーブルピンを備え、最大5 nsで動作し、アドレスアクセス時間は最大10 nsです。44ピン、400 milプラスチックSOJ及び44ピン、400 mil TSOPタイプIIパッケージ及び48ボールグリッドアレイ、9 mm x 9 mmパッケージにパッケージされています。
256 K x 16高度な高速CMOS静的RAM JEDECセンターパワー / GNDピンアウトでノイズを軽減1つのチップセレクト及び1つの出力によるピンイネーブル化 双方向データ入力 / 出力、直接LVTTL互換、チップディスセレクトによる低消費電力、上部 / 下部バイトのイネーブルピンシングル3.3 V電源、44ピン、400 milプラスチックSOJパッケージ、44ピン、400 mil TSOPタイプIIパッケージ、48ボールグリッドアレイ、9 mm x 9 mmパッケージを用意しています。緑色の部品を用意(注文情報を参照)