ルネサス SRAM 71V416S12PHG, 1 MB, 256k x 16, 12 ns, 44-Pin

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梱包形態
RS品番:
263-7917
メーカー型番:
71V416S12PHG
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

プロダクトタイプ

SRAM

メモリサイズ

1MB

構成

256k x 16

ワード数

256K

1ワード当たりのビット数

16

最大ランダムアクセス時間

12ns

タイミングタイプ

非同期

最小電源電圧

3V

最大電源電圧

3.6V

取付タイプ

表面

パッケージ型式

SOJ-44

動作温度 Min

0°C

ピン数

44

動作温度 Max

70°C

規格 / 承認

JEDEC

シリーズ

IDT71V416

幅

10.16 mm

高さ

1mm

長さ

18.41mm

自動車規格

なし

供給電流

180mA

COO（原産国）:
TW
ルネサスエレクトロニクスCMOS静的RAM 6は、64 K x 16として整理された高速静的RAMです。高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端の技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。RAMの双方向入力 / 出力はすべてTTL互換で、単一の5 V電源から動作します。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。

1つのチップセレクト及び1つの出力イネーブルピン

双方向データ入力及び出力、TTLに直接対応

チップディセレクトによる低消費電力

上下バイトイネーブルピン

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