SRAM 8Mbit, 512K x 16

Infineon SRAMは、各メモリセルに不揮発性要素を備えた高速静的RAMです。メモリは、1024 Kバイト(各8ビット)又は512 Kワード(各16ビット)として整理されています。組み込みの非揮発性エレメントには、Quantum Trapテクノロジーが採用されており、世界で最も信頼性の高い非揮発性メモリを生成します。SRAMは無限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した非揮発性データは信頼性の高いQuantum Trapセルに収容されます。SRAMから非揮発性エレメントへのデータ転送は、停電時に自動的に行われます。電源を入れると、不揮発性メモリからSRAMにデータが復元されます。STORE と RECALL の両方の操作も、ソフトウェア制御下で利用できます。

鉛フリー
RoHS準拠
20年間のデータ保持
無限の読み取り書き込み / リコールサイクル
QuantumTrapへの100万回のSTOREサイクル
ソフトウェア又は電源アップによって開始されたSRAMへのリコール