型番

Infineon SRAM, 16 MB, 1000000 x 16, 非同期, 45 ns, 2.20 V ～ 3.60V, 48ピン, TSOP I

RS品番:: 273-5284
メーカー型番:: CY62167EV30LL-45BVXI
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon SRAM, 16 MB, 1000000 x 16, 非同期, 45 ns, 2.20 V ～ 3.60V, 48ピン, TSOP I

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RS品番:: 273-5284
メーカー型番:: CY62167EV30LL-45BVXI
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

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その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	メモリサイズ	16MB
	プロダクトタイプ	SRAM
	ワード数	1000000
	1ワード当たりのビット数	16
	最大ランダムアクセス時間	45ns
	タイミングタイプ	非同期
	最小電源電圧	2.20V
	最大電源電圧	3.60V
	取付タイプ	表面
	動作温度 Min	-40°C
	パッケージ型式	TSOP I
	動作温度 Max	85°C
	ピン数	48
	規格 / 承認	RoHS
	高さ	12mm
	長さ	20mm
	幅	1.05mm
	シリーズ	CY62167EV30
	供給電流	35mA

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	メモリサイズ 16MB
	プロダクトタイプ SRAM
	ワード数 1000000
	1ワード当たりのビット数 16
	最大ランダムアクセス時間 45ns
	タイミングタイプ非同期
	最小電源電圧 2.20V
	最大電源電圧 3.60V
	取付タイプ表面
	動作温度 Min -40°C
	パッケージ型式 TSOP I
	動作温度 Max 85°C
	ピン数 48
	規格 / 承認 RoHS
	高さ 12mm
	長さ 20mm
	幅 1.05mm
	シリーズ CY62167EV30
	供給電流 35mA

Datasheet - CY62167EV30LL-45BVXI

インフィニオンSRAMは、16ビットで100万ワードまたは8ビットで200万ワードの構成を持つ高性能CMOS静的RAMです。このデバイスは、極めて低いアクティブ電流を提供する先進的な回路設計を備えています。極めて低いアクティブ電流は、携帯電話などのポータブル用途でバッテリ寿命を延ばすのに最適です。このデバイスには、アドレスがトグリングされていない場合の消費電力を99%まで削減する自動電源ダウン機能も備えています。

極めて高速

極めて低いアクティブ電力

極めて低いスタンバイ電力

最適な速度と電力を実現するCMOS

選択をオフにすると自動的に電源ダウン

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Infineon SRAM, 16 MB, 1000000 x 16, 非同期, 45 ns, 2.20 V ～ 3.60V, 48ピン, TSOP I

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