Wurth Elektronik 積層チップインダクタ, 1 μH, 1.5A, 2.0 x 1.6 x 1.0mm, 74479876210

0806 WE-PMIシリーズ積層パワーインダクタで、クロストークを除去する閉磁路構造が採用されています。 これらのWE-PMI積層パワーインダクタは、最大1.8 Aの高電流用途に適していて、DCR値は0.2 Ω未満、動作温度範囲は-40 → +125 °Cです。 これらの0806 WE-PMI積層パワーインダクタの標準的な用途には、>1 MHzの高スイッチング周波数のDC/DCコンバータ及びPDAやデジタルカメラなどのポータブルデバイスがあります。

コンパクトな多層表面実装チップビーズチョーク、クロストークを遮断するための磁気シールド付き
最大2.5 Aの高電流用途に最適
DCR値: 0.2 Ω未満
動作温度範囲: -40 → +125 °C
リフローはんだ付け用に推奨

用途: 特に高スイッチング周波数で動作するDC/DCコンバータ、ポータブルデバイス(例: PDAやデジタルカメラ)

SMT 0806インダクタ(チョーク)