電圧レベルシフタ onsemi

VHC125 には、 3 ステート出力の 4 つの独立した非反転バッファが含まれています。シリコンゲート CMOS 技術を使用して製造された Advanced High-Speed CMOS デバイスで、 CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。入力保護回路により、供給電圧に関わらず入力ピンに 0 → 7 V を印加できるようになります。この装置は、 5 → 3 V システム及びバッテリバックアップのような 2 つの電源システムのインターフェイスに使用できます。この回路は、電源電圧と入力電圧のミスマッチによる装置の損傷を防止します。

高速： tpd = 3.8 ns （標準） @ VCC = 5 V
低消費電力： ICC = 4 μ A （最大） @ TA = 25 ° C
高ノイズ耐性: VNIH = VNIL = 28 % VCC (最小)
全入力でパワーダウン保護機能を実現
低ノイズ： VolP = 0.8 V （最大）
74HC125 とピン及び機能互換
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

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