ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 600 | ￥83.48 | ￥2,087 |
| 625 - 6225 | ￥75.84 | ￥1,896 |
| 6250 - 12475 | ￥68.20 | ￥1,705 |
| 12500 - 24975 | ￥60.56 | ￥1,514 |
| 25000 + | ￥52.96 | ￥1,324 |
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- RS品番:
- 186-8638
- メーカー型番:
- MC74HCT245ADWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 論理回路 | HCT | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 20 | |
| 出力タイプ | 3ステート | |
| 寸法 | 12.95 x 7.6 x 2.4mm | |
| ロジックタイプ | バストランシーバ | |
| 低レベル出力電流 Max | 6mA | |
| 高レベル出力電流 Max | 6mA | |
| 伝播遅延テスト条件 | 50pF | |
| 動作供給電圧 Max | 4.5 → 5.5 V | |
| 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL | 33 ns @ 50 pF | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 4.5 V | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
論理回路 HCT | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 20 | ||
出力タイプ 3ステート | ||
寸法 12.95 x 7.6 x 2.4mm | ||
ロジックタイプ バストランシーバ | ||
低レベル出力電流 Max 6mA | ||
高レベル出力電流 Max 6mA | ||
伝播遅延テスト条件 50pF | ||
動作供給電圧 Max 4.5 → 5.5 V | ||
最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 33 ns @ 50 pF | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
動作供給電圧 Min 4.5 V | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高性能シリコンゲート CMOS 。この MC74HCT245A は、 LS245 とピン配列が同一です。このデバイスは、 TTL 又は NMOS 出力を高速 CMOS 入力にインターフェイスするレベルコンバータとして使用できます。MC74HCT245A は、 3 ステート非反転トランシーバで、データバス間の双方向非同期通信に使用します。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり、 I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは、データが A から B 、または B から A のどちらに流れるかを決定します
出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷
TTL / NMOS 互換の入力レベル
CMOS 、 NMOS 、 TTL への直接インターフェイス出力
動作電圧範囲 :4.5 ～ 5.5 V
低入力電流： 1.0 mA
チップの複雑さ： 304 FET または 76 相当の Gates
TTL / NMOS 互換の入力レベル
CMOS 、 NMOS 、 TTL への直接インターフェイス出力
動作電圧範囲 :4.5 ～ 5.5 V
低入力電流： 1.0 mA
チップの複雑さ： 304 FET または 76 相当の Gates
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