ボリュームディスカウント対象商品
1 本(1本38個入り) 小計:*
¥3,170.986
(税抜)
¥3,488.096
(税込)
¥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 152 は 2026年1月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 38 - 1102 | ¥83.447 | ¥3,171 |
| 1140 - 11362 | ¥75.684 | ¥2,876 |
| 11400 - 15162 | ¥67.921 | ¥2,581 |
| 15200 - 18962 | ¥60.158 | ¥2,286 |
| 19000 + | ¥52.395 | ¥1,991 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 186-7294
- メーカー型番:
- MC74HCT245ADWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 論理回路 | HCT | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| 出力タイプ | 3ステート | |
| ピン数 | 20 | |
| 寸法 | 12.95 x 7.6 x 2.4mm | |
| ロジックタイプ | バストランシーバ | |
| 低レベル出力電流 Max | 6mA | |
| 高レベル出力電流 Max | 6mA | |
| 伝播遅延テスト条件 | 50pF | |
| 動作供給電圧 Max | 4.5 → 5.5 V | |
| 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL | 33 ns @ 50 pF | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 4.5 V | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
論理回路 HCT | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
出力タイプ 3ステート | ||
ピン数 20 | ||
寸法 12.95 x 7.6 x 2.4mm | ||
ロジックタイプ バストランシーバ | ||
低レベル出力電流 Max 6mA | ||
高レベル出力電流 Max 6mA | ||
伝播遅延テスト条件 50pF | ||
動作供給電圧 Max 4.5 → 5.5 V | ||
最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 33 ns @ 50 pF | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
動作供給電圧 Min 4.5 V | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高性能シリコンゲート CMOS 。この MC74HCT245A は、 LS245 とピン配列が同一です。このデバイスは、 TTL 又は NMOS 出力を高速 CMOS 入力にインターフェイスするレベルコンバータとして使用できます。MC74HCT245A は、 3 ステート非反転トランシーバで、データバス間の双方向非同期通信に使用します。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり、 I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは、データが A から B 、または B から A のどちらに流れるかを決定します
出力駆動能力: 15 LSTTL 負荷
TTL / NMOS 互換の入力レベル
CMOS 、 NMOS 、 TTL への直接インターフェイス出力
動作電圧範囲 :4.5 ~ 5.5 V
低入力電流: 1.0 mA
チップの複雑さ: 304 FET または 76 相当の Gates
TTL / NMOS 互換の入力レベル
CMOS 、 NMOS 、 TTL への直接インターフェイス出力
動作電圧範囲 :4.5 ~ 5.5 V
低入力電流: 1.0 mA
チップの複雑さ: 304 FET または 76 相当の Gates
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
