onsemi TVSダイオード, 双方向, 250 mW, 12 V, X2-DFN
- RS品番:
- 185-9076
- メーカー型番:
- ESD5581N2T5G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 35 - 490 | ￥24.80 | ￥868 |
| 525 - 3815 | ￥23.343 | ￥817 |
| 3850 - 4865 | ￥21.943 | ￥768 |
| 4900 - 6265 | ￥20.514 | ￥718 |
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- RS品番:
- 185-9076
- メーカー型番:
- ESD5581N2T5G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | TVSダイオード | |
| 方向性タイプ | 双方向 | |
| ダイオード構成 | シングル | |
| 最小ブレークダウン電圧 Vbr | 5.2V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッケージ型式 | X2-DFN | |
| 最大逆スタンドオフ電圧 Vwm | 5V | |
| ピン数 | 2 | |
| ピークパルスパワー消費Pppm | 250mW | |
| 最大ピークパルス電流Ippm | 6A | |
| クランピング電圧（VC） | 12V | |
| テスト電流 It | 1mA | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| ESD保護 | はい | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 長さ | 0.66mm | |
| 幅 | 0.36mm | |
| 高さ | 0.28mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 最大逆漏れ電流 | 100nA | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ TVSダイオード | ||
方向性タイプ 双方向 | ||
ダイオード構成 シングル | ||
最小ブレークダウン電圧 Vbr 5.2V | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッケージ型式 X2-DFN | ||
最大逆スタンドオフ電圧 Vwm 5V | ||
ピン数 2 | ||
ピークパルスパワー消費Pppm 250mW | ||
最大ピークパルス電流Ippm 6A | ||
クランピング電圧（VC） 12V | ||
テスト電流 It 1mA | ||
動作温度 Min -55°C | ||
ESD保護 はい | ||
動作温度 Max 150°C | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
長さ 0.66mm | ||
幅 0.36mm | ||
高さ 0.28mm | ||
規格 / 承認 No | ||
最大逆漏れ電流 100nA | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
ESD 5581 は、静電容量を必要とする電圧に敏感なコンポーネントを ESD イベントから保護するように設計されています。優れたクランプ性能を発揮し、低静電容量、低漏洩電流で、応答時間が短いため、基板スペースが限られている設計でのESD保護に最適です。この製品は静電容量が小さいため、 USB 2.0 高速アプリケーションなどの高周波設計に最適です。
低容量、 5.0 μ F ( 最大 )
クランプ電圧が低い、 10 V
スモールボディ外形寸法 :0.62 mm x 0.32 mm
低ボディ高 0.3mm
待機電圧、 5 V
用途
USB ID
GPIO
Μ SD 保護
最終製品
フラッシュドライブ
HDD