onsemi トランジスタ, 8-Pin, 3 A NPN + PNP, SOIC, 表面, 40 V
- RS品番:
- 162-9192
- メーカー型番:
- NSS40302PDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 リール(1リール2500個入り) 小計：*
￥195,277.50
(税抜)
￥214,805.00
(税込)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥78.111 | ￥195,278 |
| 5000 - 22500 | ￥76.963 | ￥192,408 |
| 25000 - 35000 | ￥75.813 | ￥189,533 |
| 37500 - 47500 | ￥74.665 | ￥186,663 |
| 50000 + | ￥73.516 | ￥183,790 |
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- RS品番:
- 162-9192
- メーカー型番:
- NSS40302PDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | トランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | 3A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 40V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 40V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 783mW | |
| トランジスタ極性 | NPN + PNP | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 180 | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 6V | |
| 最大トランジション周波数フィート | 100MHz | |
| ピン数 | 8 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| シリーズ | e2PowerEdge | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ トランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） 3A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 40V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 40V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 783mW | ||
トランジスタ極性 NPN + PNP | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 180 | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 6V | ||
最大トランジション周波数フィート 100MHz | ||
ピン数 8 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.75mm | ||
幅 4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
シリーズ e2PowerEdge | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- PH
デュアルNPN / PNPトランジスタ、ON Semiconductor
NPNデバイスとPNPデバイスをそれぞれ含むデュアルトランジスタパッケージ