onsemi トランジスタ, NSS40302PDR2G, 8-Pin, 3 A NPN + PNP, SOIC, 表面, 40 V
- RS品番:
- 805-4522
- メーカー型番:
- NSS40302PDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | ￥165.60 | ￥4,140 |
| 125 - 1100 | ￥147.20 | ￥3,680 |
| 1125 - 1475 | ￥128.84 | ￥3,221 |
| 1500 - 1975 | ￥110.44 | ￥2,761 |
| 2000 + | ￥92.04 | ￥2,301 |
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- RS品番:
- 805-4522
- メーカー型番:
- NSS40302PDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | トランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | 3A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 40V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 40V | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 6V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大トランジション周波数フィート | 100MHz | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 180 | |
| トランジスタ極性 | NPN + PNP | |
| 最大許容損失Pd | 783mW | |
| ピン数 | 8 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.75mm | |
| シリーズ | e2PowerEdge | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ トランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） 3A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 40V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 40V | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 6V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大トランジション周波数フィート 100MHz | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 180 | ||
トランジスタ極性 NPN + PNP | ||
最大許容損失Pd 783mW | ||
ピン数 8 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.75mm | ||
シリーズ e2PowerEdge | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
デュアルNPN / PNPトランジスタ、ON Semiconductor
NPNデバイスとPNPデバイスをそれぞれ含むデュアルトランジスタパッケージ