onsemi トランジスタ, 4ピン, -5 A, -25 V, TO-252, 表面
- RS品番:
- 162-9435
- メーカー型番:
- MJD210RLG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール1800個入り) 小計：*
￥69,220.80
(税抜)
￥76,143.60
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年12月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1800 - 7200 | ￥38.456 | ￥69,221 |
| 9000 - 16200 | ￥37.438 | ￥67,388 |
| 18000 - 43200 | ￥36.422 | ￥65,560 |
| 45000 - 88200 | ￥35.404 | ￥63,727 |
| 90000 + | ￥34.388 | ￥61,898 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 162-9435
- メーカー型番:
- MJD210RLG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | トランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | -5A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | -25V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 40V dc | |
| 動作温度 Min | -65°C | |
| 最大トランジション周波数フィート | 10MHz | |
| 最大許容損失Pd | 12.5W | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 8V | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 10 | |
| トランジスタ極性 | PNP | |
| ピン数 | 4 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| シリーズ | MJD210 | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ トランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） -5A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo -25V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 40V dc | ||
動作温度 Min -65°C | ||
最大トランジション周波数フィート 10MHz | ||
最大許容損失Pd 12.5W | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 8V | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 10 | ||
トランジスタ極性 PNP | ||
ピン数 4 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 No | ||
シリーズ MJD210 | ||
高さ 2.38mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- MY
バイポーラパワートランジスタは、低電圧、低電力、高ゲインのオーディオアンプ用途向けに設計されています。MJD200 （ NPN ）及び MJD210 （ PNP ）は、コンプリメンタリデバイスです。
バイポーラパワートランジスタは、低電圧、低電力、高ゲインのオーディオアンプ用途向けに設計されています。MJD200 （ NPN ）及び MJD210 （ PNP ）は、コンプリメンタリデバイスです。
コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO （ us ） = 25 V dc （最小） @ IC = 10 mAdc
高 DC 電流ゲイン - hFE = 70 （最小） @ IC = 500 mAdc = 45 （最小） @ IC = 2 ADC = 10 （最小） @ IC = 5 ADC
低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE （飽和） = 0.30 V dc （最大） @ IC = 500 mAdc = 0.75 V dc （最大） @ IC = 2.0 ADC
高電流ゲイン帯域幅積： ft = 65 MHz （最小） @ IC = 100 mAdc
低漏れ電流の環状構造 - ICBO = 100 NADC @ 定格 VCB
鉛フリーです
MJD200 は、コンプリメンタリ NPN デバイスです
コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO （ us ） = 25 V dc （最小） @ IC = 10 mAdc
高 DC 電流ゲイン - hFE = 70 （最小） @ IC = 500 mAdc = 45 （最小） @ IC = 2 ADC = 10 （最小） @ IC = 5 ADC
低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE （飽和） = 0.30 V dc （最大） @ IC = 500 mAdc = 0.75 V dc （最大） @ IC = 2.0 ADC
高電流ゲイン帯域幅積： ft = 65 MHz （最小） @ IC = 100 mAdc
低漏れ電流の環状構造 - ICBO = 100 NADC @ 定格 VCB
鉛フリーです
MJD200 は、コンプリメンタリ NPN デバイスです
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。