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バイポーラトランジスタ
onsemi NPN トランジスタ, 5 A, DPAK (TO-252), 表面実装
RS品番:
790-5321
メーカー型番:
MJD200G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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取扱終了
RS品番:
790-5321
メーカー型番:
MJD200G
メーカー/ブランド名:
onsemi
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
規格
先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。
ON Semiconductor MJD200 は、補完的なプラスチック製のパワートランジスタです。このトランジスタは、低電圧、低電力、高ゲインのオーディオアンプ用途向けに設計されています。
高 DC 電流ゲイン
同軸構造で漏洩電流が低くなっています
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
特性
トランジスタタイプ
NPN
最大DCコレクタ電流
5 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧
25 V
パッケージタイプ
DPAK (TO-252)
実装タイプ
表面実装
最大パワー消費
12.5 W
最小DC電流ゲイン
45
トランジスタ構成
シングル
最大コレクタ-ベース間電圧
40 V dc
最大エミッタ-ベース間電圧
8 V
最大動作周波数
10 MHz
ピン数
3
1チップ当たりのエレメント数
1
寸法
6.73 x 6.22 x 2.38mm
動作温度 Max
+150 °C
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