onsemi NPN トランジスタ, 5 A, DPAK (TO-252), 表面実装
- RS品番:
- 790-5321
- メーカー型番:
- MJD200G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 790-5321
- メーカー型番:
- MJD200G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| トランジスタタイプ | NPN | |
| 最大DCコレクタ電流 | 5 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 25 V | |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| 最大パワー消費 | 12.5 W | |
| 最小DC電流ゲイン | 45 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタ-ベース間電圧 | 40 V dc | |
| 最大エミッタ-ベース間電圧 | 8 V | |
| 最大動作周波数 | 10 MHz | |
| ピン数 | 3 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 寸法 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
トランジスタタイプ NPN | ||
最大DCコレクタ電流 5 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 25 V | ||
パッケージタイプ DPAK (TO-252) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
最大パワー消費 12.5 W | ||
最小DC電流ゲイン 45 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタ-ベース間電圧 40 V dc | ||
最大エミッタ-ベース間電圧 8 V | ||
最大動作周波数 10 MHz | ||
ピン数 3 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
寸法 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
規格
先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。
ON Semiconductor MJD200 は、補完的なプラスチック製のパワートランジスタです。このトランジスタは、低電圧、低電力、高ゲインのオーディオアンプ用途向けに設計されています。
高 DC 電流ゲイン
同軸構造で漏洩電流が低くなっています
同軸構造で漏洩電流が低くなっています
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。