onsemi NPN トランジスタ, 5 mA, DPAK (TO-252), 表面実装
- RS品番:
- 178-4812
- メーカー型番:
- MJD200G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱終了
- RS品番:
- 178-4812
- メーカー型番:
- MJD200G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
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ブランド | onsemi | |
トランジスタタイプ | NPN | |
最大DCコレクタ電流 | 5 mA | |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 25 V | |
パッケージタイプ | DPAK (TO-252) | |
実装タイプ | 表面実装 | |
最大パワー消費 | 12.5 W | |
最小DC電流ゲイン | 45 | |
トランジスタ構成 | シングル | |
最大コレクタ-ベース間電圧 | 40 V dc | |
最大エミッタ-ベース間電圧 | 8 V | |
最大動作周波数 | 10 MHz | |
ピン数 | 4 | |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
寸法 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
動作温度 Max | +150 °C | |
すべて選択 | ||
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ブランド onsemi | ||
トランジスタタイプ NPN | ||
最大DCコレクタ電流 5 mA | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 25 V | ||
パッケージタイプ DPAK (TO-252) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
最大パワー消費 12.5 W | ||
最小DC電流ゲイン 45 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタ-ベース間電圧 40 V dc | ||
最大エミッタ-ベース間電圧 8 V | ||
最大動作周波数 10 MHz | ||
ピン数 4 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
寸法 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||