onsemi トランジスタ, 4ピン, -5 A, -25 V, TO-252, 表面
- RS品番:
- 184-4310
- メーカー型番:
- MJD210G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 75 - 2175 | ￥69.107 | ￥5,183 |
| 2250 - 22425 | ￥62.32 | ￥4,674 |
| 22500 - 29925 | ￥56.907 | ￥4,268 |
| 30000 - 37425 | ￥50.16 | ￥3,762 |
| 37500 + | ￥44.707 | ￥3,353 |
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- RS品番:
- 184-4310
- メーカー型番:
- MJD210G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | トランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | -5A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | -25V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 40V dc | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 10 | |
| 最大トランジション周波数フィート | 10MHz | |
| 動作温度 Min | -65°C | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 8V dc | |
| トランジスタ極性 | PNP | |
| 最大許容損失Pd | 12.5W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピン数 | 4 | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| シリーズ | MJD210 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ トランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） -5A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo -25V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 40V dc | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 10 | ||
最大トランジション周波数フィート 10MHz | ||
動作温度 Min -65°C | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 8V dc | ||
トランジスタ極性 PNP | ||
最大許容損失Pd 12.5W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピン数 4 | ||
高さ 2.38mm | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 No | ||
シリーズ MJD210 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- VN
バイポーラパワートランジスタは、低電圧、低電力、高ゲインのオーディオアンプ用途向けに設計されています。MJD200 （ NPN ）及び MJD210 （ PNP ）は、コンプリメンタリデバイスです。
バイポーラパワートランジスタは、低電圧、低電力、高ゲインのオーディオアンプ用途向けに設計されています。MJD200 （ NPN ）及び MJD210 （ PNP ）は、コンプリメンタリデバイスです。
コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO （ us ） = 25 V dc （最小） @ IC = 10 mAdc
高 DC 電流ゲイン - hFE = 70 （最小） @ IC = 500 mAdc = 45 （最小） @ IC = 2 ADC = 10 （最小） @ IC = 5 ADC
低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE （飽和） = 0.30 V dc （最大） @ IC = 500 mAdc = 0.75 V dc （最大） @ IC = 2.0 ADC
高電流ゲイン帯域幅積： ft = 65 MHz （最小） @ IC = 100 mAdc
低漏れ電流の環状構造 - ICBO = 100 NADC @ 定格 VCB
鉛フリーです
MJD200 は、コンプリメンタリ NPN デバイスです
コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO （ us ） = 25 V dc （最小） @ IC = 10 mAdc
高 DC 電流ゲイン - hFE = 70 （最小） @ IC = 500 mAdc = 45 （最小） @ IC = 2 ADC = 10 （最小） @ IC = 5 ADC
低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE （飽和） = 0.30 V dc （最大） @ IC = 500 mAdc = 0.75 V dc （最大） @ IC = 2.0 ADC
高電流ゲイン帯域幅積： ft = 65 MHz （最小） @ IC = 100 mAdc
低漏れ電流の環状構造 - ICBO = 100 NADC @ 定格 VCB
鉛フリーです
MJD200 は、コンプリメンタリ NPN デバイスです
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。