onsemi 抵抗内蔵トランジスタ SOT-363 NPN + PNP, 6-Pin, 表面 100 mA, 50 V

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RS品番:
184-1036
メーカー型番:
MUN5335DW1T1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

パッケージ型式

SOT-363

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

50V

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

相補型抵抗器トランジスタ

最大コレクタベース電圧 VCBO

50V

トランジスタ極性

NPN + PNP

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

0.25V

最小DC電流ゲイン（hFE）

80

最大許容損失Pd

385mW

最大連続コレクタ電流 Ic

100mA

動作温度 Max

150°C

ピン数

6

規格 / 承認

RoHS, Pb-Free

自動車規格

AEC-Q101

このシリーズのデジタルトランジスタは、シングルデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワークの交換用に設計されています。バイアス抵抗器トランジスタ(BRT)には、2つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されたモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRTは、これらの個々のコンポーネントを1つのデバイスに統合することで排除します。BRTを使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。

回路設計を簡素化

基板スペースを削減

コンポーネントカウントを削減

これらのデバイスはPbFree、ハロゲンフリー / BFRフリー

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