製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	抵抗内蔵トランジスタ
	パッケージ型式	SC-70
	取付タイプ	表面
	トランジスタ極性	Pチャンネル
	最大許容損失Pd	300mW
	動作温度 Max	150°C
	ピン数	6
	高さ	1.1mm
	長さ	2.2mm
	規格 / 承認	No
	シリーズ	FDG6304P
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ抵抗内蔵トランジスタ
	パッケージ型式 SC-70
	取付タイプ表面
	トランジスタ極性 Pチャンネル
	最大許容損失Pd 300mW
	動作温度 Max 150°C
	ピン数 6
	高さ 1.1mm
	長さ 2.2mm
	規格 / 承認 No
	シリーズ FDG6304P
	自動車規格なし

Datasheet FDG6304P

これらのデュアル P チャンネルロジックレベルエンハンスメントモードフィールド効果トランジスタは、独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを採用して製造されています。この非常に高密度なプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えるように特別に調整されています。このデバイスは、バイポーラデジタルトランジスタ及び小型信号 MOSFET の代替品として、低電圧用途向けに特別に設計されています。

-25 V 、 -0.41 A （連続）、 -1.5 A （ピーク）

RDS （ ON ） = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V 、

RDS （ ON ） = 1.5 Ω @ VGS = -2.7 V

非常<に低いレベルのゲートドライブ要件により、 3 V 回路で直接動作が可能（ VGS （ th ） 1.5 V ）です。

ESD 耐久性用のゲートソースツェナー（> 6 kV 人体モデル）。

コンパクトな業界標準 SC70-6 表面実装パッケージ。

用途

この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ SC-70 Pチャンネル, 6-Pin, 表面

関連ページ