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- RS品番:
- 186-7386
- メーカー型番:
- FDMC86262P
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ極性 | Pチャンネル | |
| 最大許容損失Pd | 40W | |
| ピン数 | 8 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 高さ | 0.72mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 幅 | 3.3 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ極性 Pチャンネル | ||
最大許容損失Pd 40W | ||
ピン数 8 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
高さ 0.72mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
シリーズ PowerTrench | ||
幅 3.3 mm | ||
自動車規格 なし | ||
この P チャンネル MOSFET は、 Advanced PowerTrench ® 技術を使用して生産されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を実現するように最適化されています。
最大 rDS （ on ） = 307 m Ω @ VGS = -10 V 、 ID = -2 A
最大 rDS （ on ） = 356 m Ω @ VGS = -6 V 、 ID = -1.8 A
超低 rDS （ on ）中電圧 P チャンネルシリコン技術は、低 Qg に最適化されています
高速スイッチング用途及び負荷スイッチ用途向けに最適化されています
用途
産業用
ポータブルおよびワイヤレス