onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, FDG6304P SC-70 Pチャンネル, 6-Pin, 表面
- RS品番:
- 186-9016
- メーカー型番:
- FDG6304P
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 1375 - 1725 | ¥67.64 | ¥1,691 |
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- RS品番:
- 186-9016
- メーカー型番:
- FDG6304P
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | SC-70 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ極性 | Pチャンネル | |
| 最大許容損失Pd | 300mW | |
| ピン数 | 6 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| シリーズ | FDG6304P | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 SC-70 | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ極性 Pチャンネル | ||
最大許容損失Pd 300mW | ||
ピン数 6 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 2.2mm | ||
高さ 1.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
シリーズ FDG6304P | ||
自動車規格 なし | ||
これらのデュアル P チャンネルロジックレベルエンハンスメントモードフィールド効果トランジスタは、独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを採用して製造されています。この非常に高密度なプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えるように特別に調整されています。このデバイスは、バイポーラデジタルトランジスタ及び小型信号 MOSFET の代替品として、低電圧用途向けに特別に設計されています。
-25 V 、 -0.41 A (連続)、 -1.5 A (ピーク)
RDS ( ON ) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V 、
RDS ( ON ) = 1.5 Ω @ VGS = -2.7 V
非常<に低いレベルのゲートドライブ要件により、 3 V 回路で直接動作が可能( VGS ( th ) 1.5 V )です。
ESD 耐久性用のゲートソースツェナー(> 6 kV 人体モデル)。
コンパクトな業界標準 SC70-6 表面実装パッケージ。
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。
