onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FQT1N60CTF-WS

この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、 Fairchild Semiconductor 独自のプレーナストライプと DMOS 技術を使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode

0.2 A 、 600 V 、 RDS （ on ） = 9.3 Ω （標準） @ VGS = 10 V 、 ID = 0.1 A
低ゲート電荷量（標準） 4.8 nC ）
低 CRSs （標準） 3.5 pF ）
用途
照明

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