onsemi 抵抗内蔵トランジスタ TO-220 NPN, 3-Pin, スルーホール, 80 V

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RS品番:
186-7366
メーカー型番:
BDX33BG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

パッケージ型式

TO-220

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

80V

取付タイプ

スルーホール

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

80V

最大許容損失Pd

70W

トランジスタ極性

NPN

最小DC電流ゲイン（hFE）

750

最大エミッタベース電圧 VEBO

5V

ピン数

3

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

10.53mm

高さ

9.28mm

幅

4.83 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
10 A 、 100 V PNP ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用 / 低速度スイッチング用途向けに設計されています。BDX33B 、 BDX33C 、 BDX34B 、 BDX34C はコンプリメンタリデバイスです。

10 A、100 V PNP Darlingtonバイポーラパワートランジスタは、汎用及び低速スイッチング用途向けに設計されています。BDX33B、BDX33C、BDX34B、BDX34Cは補完的なデバイスです。

高 DC 電流ゲイン - hFE = 2500 （標準） @ IC = 4.0

コレクタ - エミッタ維持電圧 @ 100 mAdc VCEO （ sus ） = 80 V dc （最小） BDX33B 、 34B VCEO （ sus ） = 100 V dc （最小） - BDX33C 、 34 C

低コレクタ - エミッタ飽和電圧 CE （飽和） = 2.5 V dc （最大） @ IC = 3.0 ADC 、 BDX33B 、 33C / 34B 、 34 C

ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造

TO-220AB コンパクトパッケージ

鉛フリーパッケージを用意

高DC電流ゲイン - hFE = 2500 (標準) @ IC = 4.0

コレクタエミッタ維持電圧: 100 mAdc VCEO(サス) = 80 Vdc (最小) BDX33B、34B VCEO(サス) = 100 Vdc (最小) - BDX33C、34C

低コレクタエミッタ飽和電圧CE(sat) = 2.5 V dc (最大) @ IC = 3.0 Adc BDX33B、33C/34B、34C

内蔵ベースエミッタシャント抵抗器を備えたモノリシック構造

TO-220ABコンパクトパッケージ

鉛フリーパッケージを用意

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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