onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NJVMJD45H11G PNP, 2-Pin, 表面, -80 V
- RS品番:
- 186-8178
- メーカー型番:
- NJVMJD45H11G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 186-8178
- メーカー型番:
- NJVMJD45H11G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | -80V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| トランジスタ極性 | PNP | |
| 最大許容損失Pd | 20W | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 5V dc | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 40 | |
| ピン数 | 2 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| シリーズ | NJVMJD45H11 | |
| 高さ | 2.25mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo -80V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
トランジスタ極性 PNP | ||
最大許容損失Pd 20W | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 5V dc | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 40 | ||
ピン数 2 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.73mm | ||
シリーズ NJVMJD45H11 | ||
高さ 2.25mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
バイポーラパワートランジスタは、スイッチングレギュレータ、コンバータ、パワーアンプなどの用途で汎用電源及びスイッチング出力又はドライバステージ向けに設計されています。
プラスチックスリーブの表面実装用途向けのリード成形(サフィックスなし)
プラスチックスリーブ付きストレートリードバージョン(「-1」サフィックス)
表面実装用の16 mmテープとリールの鉛形状バージョン(「T4」サフィックス)
電気的には一般的なD44H / D45Hシリーズと同様
低コレクタエミッタ飽和電圧VCE(sat) = 最大1.0 V @ 8.0 A
高速スイッチング速度
補完ペアにより、設計を簡素化
独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのNJVプレフィックス、PPAP対応
これらのデバイスは鉛フリーです。