onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MJB45H11G PNP, 2-Pin, 表面 10 A, -80 V

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梱包形態
RS品番:
186-8019
メーカー型番:
MJB45H11G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

-80V

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

1V

最大連続コレクタ電流 Ic

10A

最大エミッタベース電圧 VEBO

5V dc

トランジスタ極性

PNP

最小DC電流ゲイン（hFE）

60

最大許容損失Pd

50W

動作温度 Max

150°C

ピン数

2

長さ

9.65mm

高さ

8.64mm

規格 / 承認

UL 94 V-0

シリーズ

MJB45H

幅

4.83 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
MY
PNP バイポーラトランジスタは、スイッチングレギュレータ、コンバータ、パワーアンプなどの用途における出力やドライバステージなどの汎用的なパワー増幅やスイッチング向けに設計されています。MJB44H11 （ NPN ）および MJB45H11 （ PNP ）は、コンプリメンタリデバイスです。

PNPバイポーラパワートランジスタは、スイッチングレギュレータ、コンバータ、パワーアンプなどの用途で出力やドライバステージなどの汎用パワーアンプ及びスイッチング用に設計されています。MJB44H11 (NPN)及びMJB45H11 (PNP)は補完的なデバイスです。

低コレクタ - エミッタ飽和電圧 -

VCE （ sat ） = 1.0 V （最大） @ 8.0 A

高速なスイッチング速度

コンプリメンタリペアにより設計を簡素化

品番の先頭が「 NJV 」の製品は、固有のサイトや制御変更要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適

鉛フリーパッケージを用意

低コレクタエミッタ飽和電圧 -

VCE(sat) = 1.0 V (最大) @ 8.0 A

高速スイッチング速度

補完ペアにより、設計を簡素化

独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのNJVプレフィックス、PPAP対応

PbFreeパッケージを用意

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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