onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MJB45H11G PNP, 2-Pin, 表面 10 A, -80 V
- RS品番:
- 186-8019
- メーカー型番:
- MJB45H11G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 186-8019
- メーカー型番:
- MJB45H11G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | -80V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 10A | |
| トランジスタ極性 | PNP | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 1V | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 5V dc | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 60 | |
| 最大許容損失Pd | 50W | |
| ピン数 | 2 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | UL 94 V-0 | |
| シリーズ | MJB45H | |
| 高さ | 8.64mm | |
| 長さ | 9.65mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo -80V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 10A | ||
トランジスタ極性 PNP | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 1V | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 5V dc | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 60 | ||
最大許容損失Pd 50W | ||
ピン数 2 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 UL 94 V-0 | ||
シリーズ MJB45H | ||
高さ 8.64mm | ||
長さ 9.65mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- MY
PNPバイポーラパワートランジスタは、スイッチングレギュレータ、コンバータ、パワーアンプなどの用途で出力やドライバステージなどの汎用パワーアンプ及びスイッチング用に設計されています。MJB44H11 (NPN)及びMJB45H11 (PNP)は補完的なデバイスです。
低コレクタエミッタ飽和電圧 -
VCE(sat) = 1.0 V (最大) @ 8.0 A
高速スイッチング速度
補完ペアにより、設計を簡素化
独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのNJVプレフィックス、PPAP対応
PbFreeパッケージを用意