onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MJB45H11T4G PNP, 2-Pin, 表面, -80 V

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥1,757.00

(税抜)

¥1,932.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 860 は海外在庫あり
  • 800 2026年7月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
10 - 30¥175.70¥1,757
40 - 340¥155.90¥1,559
350 - 490¥136.00¥1,360
500 - 590¥116.20¥1,162
600 +¥95.60¥956

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
186-8039
メーカー型番:
MJB45H11T4G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

-80V

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

80V

最小DC電流ゲイン(hFE)

60

最大エミッタベース電圧 VEBO

5V dc

最大許容損失Pd

50W

トランジスタ極性

PNP

動作温度 Max

150°C

ピン数

2

規格 / 承認

No

長さ

10.29mm

高さ

4.83mm

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
MY
PNPバイポーラパワートランジスタは、スイッチングレギュレータ、コンバータ、パワーアンプなどの用途で出力やドライバステージなどの汎用パワーアンプ及びスイッチング用に設計されています。MJB44H11 (NPN)及びMJB45H11 (PNP)は補完的なデバイスです。

低コレクタエミッタ飽和電圧 -

VCE(sat) = 1.0 V (最大) @ 8.0 A

高速スイッチング速度

補完ペアにより、設計を簡素化

独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのNJVプレフィックス、PPAP対応

PbFreeパッケージを用意

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。