onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MUN5214T1G NPN, 3-Pin, 表面, 50 V
- RS品番:
- 186-8604
- メーカー型番:
- MUN5214T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 700 - 1300 | ￥8.95 | ￥895 |
| 1400 - 1800 | ￥8.25 | ￥825 |
| 1900 - 2400 | ￥7.45 | ￥745 |
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- RS品番:
- 186-8604
- メーカー型番:
- MUN5214T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 50V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 50V | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 80 | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大許容損失Pd | 310mW | |
| ピン数 | 3 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| シリーズ | MUN5214 | |
| 高さ | 1mm | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 50V | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 80 | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大許容損失Pd 310mW | ||
ピン数 3 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
シリーズ MUN5214 | ||
高さ 1mm | ||
長さ 2.2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
このシリーズのデジタルトランジスタは、シングルデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワークの交換用に設計されています。バイアス抵抗器トランジスタ(BRT)には、2つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、及びアベース−エミッタ抵抗器で構成されたモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRTは、これらの個々のコンポーネントを1つのデバイスに統合することで排除します。BRTcanの使用により、システムコストとボードスペースの両方を削減します。
回路設計を簡素化
基板スペースを削減
コンポーネントカウントを削減
独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのS及びNSVプレフィックス、PPAP対応
これらのデバイスはPbFree、ハロゲンフリー / BFRフリー