onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5212DW1T1G

このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ（ BRT ）には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。

回路設計の簡素化
基板スペースの削減
コンポーネント数を削減します
品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です
鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。