onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MMBTH10-4LT1G SOT-23 NPN, 3-Pin, 表面, 25 V
- RS品番:
- 186-8618
- メーカー型番:
- MMBTH10-4LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 186-8618
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- MMBTH10-4LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 25V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 30V | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 3V dc | |
| 最大許容損失Pd | 300mW | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最小DC電流ゲイン(hFE) | 60 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピン数 | 3 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 2.64 mm | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 25V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 30V | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 3V dc | ||
最大許容損失Pd 300mW | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最小DC電流ゲイン(hFE) 60 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピン数 3 | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 2.64 mm | ||
長さ 3.04mm | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
この NPN バイポーラトランジスタは、汎用 VHF / UHF 用途向けに設計され、 SOT-23 表面実装パッケージに収められています。このデバイスは、低電力の表面実装用途に最適です。
このNPNバイポーラトランジスタは、汎用VHF / UHF用途向けに設計されており、SOT-23表面実装パッケージに収容されています。このデバイスは、低電力の表面実装用途に最適です。
低 RDS ( on ):高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します
基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ
鉛フリーパッケージが提供される場合があります。G サフィックスは鉛フリーリード仕上げを示します
品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です
低rDS(on)により、効率が向上し、バッテリ寿命が延長
ミニチュアSOT-23表面実装パッケージで基板スペースを節約
鉛フリーパッケージが用意されています。Gサフィックスは鉛フリー鉛仕上げを示します。
独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのNSVプレフィックス、PPAP対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
