onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MUN5216DW1T1G SOT-363 NPN, 6-Pin, 表面 100 mA, 50 V
- RS品番:
- 186-8709
- メーカー型番:
- MUN5216DW1T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | ￥24.36 | ￥1,218 |
| 150 - 1200 | ￥21.54 | ￥1,077 |
| 1250 - 1450 | ￥17.80 | ￥890 |
| 1500 - 2450 | ￥15.00 | ￥750 |
| 2500 + | ￥12.18 | ￥609 |
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- RS品番:
- 186-8709
- メーカー型番:
- MUN5216DW1T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | SOT-363 | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 50V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 50V | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 100mA | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 160 | |
| 最大許容損失Pd | 385mW | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 0.25V | |
| ピン数 | 6 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 幅 | 2.2 mm | |
| 規格 / 承認 | Pb-Free, RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 SOT-363 | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 50V | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 100mA | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 160 | ||
最大許容損失Pd 385mW | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 0.25V | ||
ピン数 6 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 2.2mm | ||
幅 2.2 mm | ||
規格 / 承認 Pb-Free, RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
このシリーズのデジタルトランジスタは、シングルデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワークの交換用に設計されています。バイアス抵抗器トランジスタ(BRT)には、2つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されたモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRTは、これらの個々のコンポーネントを1つのデバイスに統合することで排除します。BRTを使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。
回路設計を簡素化
基板スペースを削減
コンポーネントカウントを削減
独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのS及びNSVプレフィックス、PPAP対応
これらのデバイスはPbFree、ハロゲンフリー / BFRフリー