onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MUN5312DW1T1G SOT-363 (SC-88) NPN + PNP, 6-Pin, 表面 100 mA, 50 V
- RS品番:
- 690-0199
- メーカー型番:
- MUN5312DW1T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 1375 - 1725 | ￥15.12 | ￥378 |
| 1750 - 2225 | ￥12.72 | ￥318 |
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- RS品番:
- 690-0199
- メーカー型番:
- MUN5312DW1T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | SOT-363 (SC-88) | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 50V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 50V | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 100mA | |
| トランジスタ極性 | NPN + PNP | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 60 | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 0.25V | |
| ピン数 | 6 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | Pb-Free, RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 SOT-363 (SC-88) | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 50V | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 100mA | ||
トランジスタ極性 NPN + PNP | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 60 | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 0.25V | ||
ピン数 6 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 Pb-Free, RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
デュアル抵抗器デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor
デジタルトランジスタ、ON Semiconductor
抵抗器を装備したバイポーラトランジスタは、「デジタルトランジスタ」又は「バイアス抵抗器トランジスタ」とも呼ばれ、1つ又は2つの内蔵抵抗器を搭載しています。シングルシリーズ入力抵抗器又は2つの抵抗器のポテンションディバイダにより、これらのデバイスをデジタルソースから直接駆動できます。シングルトランジスタタイプとデュアルトランジスタタイプの両方を用意しています。