Infineon NPN RF バイポーラトランジスタ, BFP640FH6327XTSA1, 4-Pin, 50 mA NPN, TSFP, 表面, 4 V
- RS品番:
- 216-8352
- メーカー型番:
- BFP640FH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | ￥55.74 | ￥2,787 |
| 150 - 1200 | ￥50.10 | ￥2,505 |
| 1250 - 1450 | ￥44.46 | ￥2,223 |
| 1500 - 2450 | ￥38.82 | ￥1,941 |
| 2500 + | ￥33.18 | ￥1,659 |
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- RS品番:
- 216-8352
- メーカー型番:
- BFP640FH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | NPN RF バイポーラトランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | 50mA | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 4V | |
| パッケージ型式 | TSFP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | NPN | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 13V | |
| 最大トランジション周波数フィート | 42GHz | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 200mW | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 110 | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 1.2V | |
| ピン数 | 4 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| シリーズ | BFP640F | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ NPN RF バイポーラトランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） 50mA | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 4V | ||
パッケージ型式 TSFP | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 NPN | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 13V | ||
最大トランジション周波数フィート 42GHz | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 200mW | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 110 | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 1.2V | ||
ピン数 4 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
シリーズ BFP640F | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン BFPシリーズは、シリコンゲルマニウム技術に基づいたRFバイポーラトランジスタです。42 GHzのトランジション周波数と低電流での高いリニア性特性により、このデバイスは最大8 GHzの周波数でのエネルギー効率設計に適しています。使いやすさを損なうことなく、コストの競争力を維持しています。
幅広いワイヤレス用途に卓越した性能を発揮
CDMAおよびWLAN用途に最適
高最大安定ゲイン
高い信頼性を実現する金メタライズ