Infineon RFトランジスタ, 4-Pin, 50 mA NPN, SOT-343, 表面, 4.1 V

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RS品番:
259-1440
メーカー型番:
BFP640H6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

RFトランジスタ

最大DCコレクタ電流(Idc)

50mA

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

4.1V

パッケージ型式

SOT-343

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

NPN

最大コレクタベース電圧 VCBO

13V

動作温度 Min

-55°C

最大エミッタベース電圧 VEBO

1.2V

最小DC電流ゲイン(hFE)

110

トランジスタ極性

NPN

最大許容損失Pd

200mW

最大トランジション周波数フィート

42GHz

動作温度 Max

150°C

ピン数

4

長さ

2mm

シリーズ

BFP

高さ

0.9mm

2.1 mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオンのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)NPNヘテロ接合広帯域バイポーラRFトランジスタ(HBT)、プラスチック製デュアルエミッタ標準パッケージ、可視リード付き。このデバイスには内部保護回路が装備されており、ESDに対する堅牢性と高いRF入力電力を強化します。このデバイスは、非常に高いRFゲインと非常に低い動作電流での堅牢性と最低ノイズ数を組み合わせており、幅広いワイヤレス用途で使用できます。BFP640ESDは、消費電力を削減する必要がある小型バッテリ駆動用途に特に適しています。デバイス設計は、最大4.1 Vのコレクタ電圧をサポートしています。

インフィニオンの信頼性に基づいた堅牢な高性能低ノイズアンプ

内蔵保護回路による2 kV ESD堅牢性 (HBM)

21 dBmの高い最大RF入力電力

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