Infineon RFトランジスタ, BFP640H6327XTSA1, 4-Pin, 50 mA NPN, SOT-343, 表面, 4.1 V
- RS品番:
- 259-1442
- Distrelec 品番:
- 304-40-488
- メーカー型番:
- BFP640H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 25 - 125 | ￥45.56 | ￥1,139 |
| 150 - 1350 | ￥44.80 | ￥1,120 |
| 1375 - 1725 | ￥44.12 | ￥1,103 |
| 1750 - 2225 | ￥43.32 | ￥1,083 |
| 2250 + | ￥42.56 | ￥1,064 |
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- RS品番:
- 259-1442
- Distrelec 品番:
- 304-40-488
- メーカー型番:
- BFP640H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | RFトランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | 50mA | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 4.1V | |
| パッケージ型式 | SOT-343 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | NPN | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 13V | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 1.2V | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 110 | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大許容損失Pd | 200mW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大トランジション周波数フィート | 42GHz | |
| ピン数 | 4 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| シリーズ | BFP | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 2mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ RFトランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） 50mA | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 4.1V | ||
パッケージ型式 SOT-343 | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 NPN | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 13V | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 1.2V | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 110 | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大許容損失Pd 200mW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大トランジション周波数フィート 42GHz | ||
ピン数 4 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
シリーズ BFP | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 2mm | ||
高さ 0.9mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオンのシリコンゲルマニウムカーボン（SiGe:C）NPNヘテロ接合広帯域バイポーラRFトランジスタ（HBT）、プラスチック製デュアルエミッタ標準パッケージ、可視リード付き。このデバイスには内部保護回路が装備されており、ESDに対する堅牢性と高いRF入力電力を強化します。このデバイスは、非常に高いRFゲインと非常に低い動作電流での堅牢性と最低ノイズ数を組み合わせており、幅広いワイヤレス用途で使用できます。BFP640ESDは、消費電力を削減する必要がある小型バッテリ駆動用途に特に適しています。デバイス設計は、最大4.1 Vのコレクタ電圧をサポートしています。
インフィニオンの信頼性に基づいた堅牢な高性能低ノイズアンプ
内蔵保護回路による2 kV ESD堅牢性 (HBM)
21 dBmの高い最大RF入力電力