東芝電池 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, RN1103(F)

バイアス抵抗内蔵、部品点数削減により小型化、省スペース化を実現
広い抵抗値範囲、多様なアプリケーションに対応
RN1101 / RN2101 から RN1118 / RN2118 までを補完
用途：スイッチング回路、インバータ回路、インタフェース回路、ドライバ回路
SSM パッケージ

デジタルトランジスタ、 Toshiba

「デジタルトランジスタ」、「バイアス抵抗器トランジスタ」としても知られている、抵抗器を備えたバイポーラトランジスタです。内蔵抵抗器を1つ又は2つ組み込んでいます。単一の直列入力抵抗器、又は2つの抵抗器の分圧回路により、これらのデバイスをデジタルソースから直接駆動できます。シングルトランジスタバージョンとデュアルトランジスタバージョンをご用意しています。