東芝電池 抵抗内蔵トランジスタ, 3ピン, 100 mA, 50 V, ESM, 表面

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RS品番:
540-6497
メーカー型番:
RN1103(F)
メーカー/ブランド名:
Toshiba
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ブランド

Toshiba

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

最大DCコレクタ電流(Idc)

100mA

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

50V

パッケージ型式

ESM

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

50V

動作温度 Min

-55°C

最大エミッタベース電圧 VEBO

10V

最小DC電流ゲイン(hFE)

70

トランジスタ極性

NPN

最大許容損失Pd

100mW

最大トランジション周波数フィート

250MHz

ピン数

3

動作温度 Max

150°C

高さ

0.7mm

規格 / 承認

No

シリーズ

RN1103

長さ

1.6mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
JP

抵抗内蔵トランジスタ BRTシリーズ 東芝


バイアス抵抗内蔵、部品点数削減により小型化、省スペース化を実現

広い抵抗値範囲、多様なアプリケーションに対応

RN1101 / RN2101 から RN1118 / RN2118 までを補完

用途:スイッチング回路、インバータ回路、インタフェース回路、ドライバ回路

SSM パッケージ

デジタルトランジスタ、 Toshiba


「デジタルトランジスタ」、「バイアス抵抗器トランジスタ」としても知られている、抵抗器を備えたバイポーラトランジスタです。内蔵抵抗器を1つ又は2つ組み込んでいます。単一の直列入力抵抗器、又は2つの抵抗器の分圧回路により、これらのデバイスをデジタルソースから直接駆動できます。シングルトランジスタバージョンとデュアルトランジスタバージョンをご用意しています。

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