Infineon RFトランジスタ, BFP640ESDH6327XTSA1, 4-Pin, 50 mA NPN, SOT-343, 表面, 13 V
- RS品番:
- 827-5154
- メーカー型番:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 827-5154
- メーカー型番:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | RFトランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | 50mA | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 13V | |
| パッケージ型式 | SOT-343 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 13V | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 110 | |
| 動作温度 Min | -65°C | |
| 最大許容損失Pd | 200mW | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 1.2V | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大トランジション周波数フィート | 70GHz | |
| ピン数 | 4 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 長さ | 2mm | |
| 規格 / 承認 | Pb-Free (RoHS) | |
| シリーズ | BFP640 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ RFトランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） 50mA | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 13V | ||
パッケージ型式 SOT-343 | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 13V | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 110 | ||
動作温度 Min -65°C | ||
最大許容損失Pd 200mW | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 1.2V | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大トランジション周波数フィート 70GHz | ||
ピン数 4 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.9mm | ||
長さ 2mm | ||
規格 / 承認 Pb-Free (RoHS) | ||
シリーズ BFP640 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon
Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。