Alliance Memory, フラッシュメモリ, 128Mbit, シリアル, 8-Pin, AS25F3128MQ-6SINTR

アライアンスメモリ128Mビットインターフェイスフラッシュメモリデバイスは、2.7～3.6Vの単一電源で動作するように設計されており、消費電流は以下の通りです。
0.ディープパワーダウン時には2μAで、プログラムコードがフラッシュメモリから内蔵RAMまたは外部RAMにシャドーイングされて実行される。ページ消去の粒度を持つデバイスの柔軟な消去アーキテクチャは、データ保存にも理想的で、データ保存デバイスを追加する必要がない。デバイスには65,536ページ（各256バイト）のプログラマブル・ページが設定されており、一度に最大256バイトまでプログラムできる。16個のグループ（4KBセクタ消去）、128個のグループ（32KBブロック消去）、256個のグループ（64KBブロック消去）、またはチップ全体（チップ消去）により、ページを消去することができる。消去可能なセクタ数は4096、消去可能なブロック数は256である。4KBの小さなセクタは、データやパラメータの保存を必要とするアプリケーションにとって、より大きな柔軟性を提供する。

スピード166MHz
アクティブ・リード電流 最大4mA
プログラム電流 最大15mA
消去電流 最大15mA
8p SOPパッケージ 208mil