Alliance Memory, フラッシュメモリ, 128Mbit, シリアル, 8-Pin, AS25F3128MQ-6WINTR
- RS品番:
- 338-525
- メーカー型番:
- AS25F3128MQ-6WINTR
- メーカー/ブランド名:
- Alliance Memory
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- RS品番:
- 338-525
- メーカー型番:
- AS25F3128MQ-6WINTR
- メーカー/ブランド名:
- Alliance Memory
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Alliance Memory | |
| メモリサイズ | 128Mbit | |
| インターフェースタイプ | シリアル | |
| パッケージタイプ | WSON | |
| ピン数 | 8 | |
| セルタイプ | NOR | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Alliance Memory | ||
メモリサイズ 128Mbit | ||
インターフェースタイプ シリアル | ||
パッケージタイプ WSON | ||
ピン数 8 | ||
セルタイプ NOR | ||
- COO(原産国):
- TW
アライアンスメモリ128Mビットインターフェイスフラッシュメモリデバイスは、2.7~3.6Vの単一電源で動作するように設計されており、消費電流は以下の通りです。
0.ディープパワーダウン時には2μAで、プログラムコードがフラッシュメモリから内蔵RAMまたは外部RAMにシャドーイングされて実行される。ページ消去の粒度を持つデバイスの柔軟な消去アーキテクチャは、データ保存にも理想的で、データ保存デバイスを追加する必要がない。デバイスには65,536ページ(各256バイト)のプログラマブル・ページが設定されており、一度に最大256バイトまでプログラムできる。16個のグループ(4KBセクタ消去)、128個のグループ(32KBブロック消去)、256個のグループ(64KBブロック消去)、またはチップ全体(チップ消去)により、ページを消去することができる。消去可能なセクタ数は4096、消去可能なブロック数は256である。4KBの小さなセクタは、データやパラメータの保存を必要とするアプリケーションにとって、より大きな柔軟性を提供する。
0.ディープパワーダウン時には2μAで、プログラムコードがフラッシュメモリから内蔵RAMまたは外部RAMにシャドーイングされて実行される。ページ消去の粒度を持つデバイスの柔軟な消去アーキテクチャは、データ保存にも理想的で、データ保存デバイスを追加する必要がない。デバイスには65,536ページ(各256バイト)のプログラマブル・ページが設定されており、一度に最大256バイトまでプログラムできる。16個のグループ(4KBセクタ消去)、128個のグループ(32KBブロック消去)、256個のグループ(64KBブロック消去)、またはチップ全体(チップ消去)により、ページを消去することができる。消去可能なセクタ数は4096、消去可能なブロック数は256である。4KBの小さなセクタは、データやパラメータの保存を必要とするアプリケーションにとって、より大きな柔軟性を提供する。
スピード166MHz
アクティブ・リード電流 最大4mA
プログラム電流 最大15mA
消去電流 最大15mA
8L WSONパッケージ 5x6mm
アクティブ・リード電流 最大4mA
プログラム電流 最大15mA
消去電流 最大15mA
8L WSONパッケージ 5x6mm
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