Winbond フラッシュメモリ NOR, 8 MB, SPI, 8-Pin, W25Q80DVSSIG/TRAY SOIC
- RS品番:
- 171-2234
- メーカー型番:
- W25Q80DVSSIG/TRAY
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | ￥198.60 | ￥2,979 |
| 75 - 135 | ￥184.20 | ￥2,763 |
| 150 - 180 | ￥169.733 | ￥2,546 |
| 195 - 225 | ￥155.267 | ￥2,329 |
| 240 + | ￥140.933 | ￥2,114 |
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- RS品番:
- 171-2234
- メーカー型番:
- W25Q80DVSSIG/TRAY
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Winbond | |
| メモリサイズ | 8MB | |
| プロダクトタイプ | フラッシュメモリ | |
| インタフェースタイプ | SPI | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 構成 | 1M x 8 Bit | |
| 最大クロック周波数 | 104MHz | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| セルタイプ | NOR | |
| 最小電源電圧 | 2.7V | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5.38mm | |
| 高さ | 1.91mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| ワード数 | 1M | |
| シリーズ | W25Q80DV | |
| 自動車規格 | なし | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 6ns | |
| 供給電流 | 25mA | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Winbond | ||
メモリサイズ 8MB | ||
プロダクトタイプ フラッシュメモリ | ||
インタフェースタイプ SPI | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
構成 1M x 8 Bit | ||
最大クロック周波数 104MHz | ||
取付タイプ 表面 | ||
セルタイプ NOR | ||
最小電源電圧 2.7V | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5.38mm | ||
高さ 1.91mm | ||
規格 / 承認 No | ||
ワード数 1M | ||
シリーズ W25Q80DV | ||
自動車規格 なし | ||
最大ランダムアクセス時間 6ns | ||
供給電流 25mA | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
均一4 KBセクタ及びデュアル / クワッドSPIの8 Mbit3.0 Vシリアルフラッシュメモリです。
デュアル / クワッドシリアルペリフェラルインターフェイス
均一な4 KB消去可能セクタ及び32 KB / 64 KB消去可能ブロック
4,096ページ(256バイト)、ページプログラム時間: 0.8 ms (標準)
シングル / デュアル / クワッド高速読み取り命令
8 / 16 / 32 / 64バイトラップアラウンドによる高速読み取りデュアル / クワッドI/O命令
クロック動作: 最大104 MHz (クワッドI/O読み取りで416 MHzに相当)
電源: 2.7 → 3.6 V
パワーダウン電流: 1 μA
動作温度範囲: -40 → +85 °C
消去 / プログラムサスペンド / レジューム、サスペンドステータスビット
工場出荷時にプログラムされるID
デュアル / クワッドI/Oの電子ID、トップ又はボトムブロックのハードウェア / ソフトウェア保護
補完アレイ保護ビット
OTPロック対応セキュリティレジスタ: 256バイト x 3
ロックダウン及びOTP保護
揮発性 / 不揮発性ステータスレジスタビット
シリアルフラッシュ検出可能パラメータ(SFDP)