Infineon フラッシュメモリ, 512 MB, CFI, 64-Pin, S29GL512T11FHIV20 BGA
- RS品番:
- 193-8914
- メーカー型番:
- S29GL512T11FHIV20
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 193-8914
- メーカー型番:
- S29GL512T11FHIV20
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 512MB | |
| プロダクトタイプ | フラッシュメモリ | |
| インタフェースタイプ | CFI | |
| パッケージ型式 | BGA | |
| ピン数 | 64 | |
| 構成 | 64M x 8 Bit | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 最小電源電圧 | 2.7V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 1mm | |
| 長さ | 13mm | |
| 幅 | 11 mm | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 110ns | |
| シリーズ | S29GL512 | |
| ワード数 | 64M | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 512MB | ||
プロダクトタイプ フラッシュメモリ | ||
インタフェースタイプ CFI | ||
パッケージ型式 BGA | ||
ピン数 64 | ||
構成 64M x 8 Bit | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
最小電源電圧 2.7V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 1mm | ||
長さ 13mm | ||
幅 11 mm | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
最大ランダムアクセス時間 110ns | ||
シリーズ S29GL512 | ||
ワード数 64M | ||
- COO(原産国):
- CN
64 nm MirrorBit Eclipseテクノロジー
読み取り / プログラム / 消去用のシングル電源(VCC) (2.7 V ~ 3.6 V)
汎用性の高いI/O機能
幅広いI/O電圧範囲(VIO): 1.65 V ~ VCC
x8 / x16データバス
非同期32バイト・ページ読み出し
512バイトのプログラミングバッファ
プログラミングイン バイト
同じワードオプションで単一ワードと複数のプログラム
自動エラーチェックおよび補正(ECC)内蔵ハードウェアECC(シングルビットエラー補正機能付き)
セクター消去
ユニフォーム128 KBセクター
プログラムおよび消去操作用のサスペンドおよび再開コマンド
デバイスのステータスを判断するためのステータスレジスタ、データポーリング、準備済み / バスピン方法
先進的なセクター保護(ASP)
各セクターに適した揮発性および非揮発性保護方法
独立した2048バイトのワンタイムプログラム(OTP)アレイ
4つのロック可能区域(SSR0 - SSR3)
SSR0は工場ロック
SSR3 (パスワード読み取り保護)
コモンフラッシュインターフェイス(CFI)パラメータテーブル
温度範囲/グレード:
産業(–40 °C ~ +85 °C)
産業プラス(–40 °C ~ +105 °C)
拡張 (-40 °C ~ +125 °C)
100,000プログラム/消去サイクル
20年間のデータ保持፤
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