フラッシュメモリ 256Mbit SPI, 8-Pin

Infineonフラッシュメモリは、高密度で、さまざまな組み込みアプリケーションに必要な柔軟性と高速性能を備えています。RAMへのコードシャドーイング、コードの直接実行(XIP)及びデータ保存に理想的です。フラッシュメモリから直接コードを実行することは、しばしばExecute in Placeと呼ばれます。サポートされる高いクロックレートでFL Sデバイスを使用することで、QIOコマンドを使用すると、指示読み取り転送レートが従来のパラレルインターフェイス、非同期、NORフラッシュメモリと一致するか、それを上回ることができ、同時に信号数を大幅に削減します。

先進セクタ保護
データ保持期間: 最小20年
CMOS 3.0 Vコア、汎用性の高いIO
ハードウェア及びソフトウェア制御オプション
最小100000回のプログラム消去サイクル