Infineon FRAM, 1 MB, SOIC, SPI, 8-Pin, FM25VN10-G

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥2,257.00

(税抜)

¥2,482.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
3,000円未満(税抜)のご注文は、送料500円です。
在庫あり
  • 5 は海外在庫あり
  • 362 2026年2月20日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1 - 4¥2,257
5 - 44¥2,236
45 - 59¥2,212
60 - 69¥2,191
70 +¥2,167

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
124-2991
メーカー型番:
FM25VN10-G
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

FRAM

メモリサイズ

1MB

構成

128K x 8 bit

インタフェースタイプ

SPI

データバス幅

8bit

最大ランダムアクセス時間

18ns

取付タイプ

表面

最大クロック周波数

40MHz

パッケージ型式

SOIC

ピン数

8

長さ

4.97mm

高さ

1.47mm

規格 / 承認

No

3.98 mm

動作温度 Max

85°C

自動車規格

AEC-Q100

最小電源電圧

2V

動作温度 Min

-40°C

ワード数

128k

最大電源電圧

3.6V

1ワード当たりのビット数

8

FRAM、サイプレス半導体


強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。

不揮発性強誘電体RAMメモリ

高速書き込み

高耐久性

低消費電力

FRAM (強誘電体RAM)


FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。

関連ページ