Infineon FRAM, 1 MB, SOIC, SPI, 8-Pin
- RS品番:
- 188-5424
- メーカー型番:
- FM25VN10-G
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 本(1本97個入り) 小計：*
￥244,404.013
(税抜)
￥268,844.424
(税込)
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | ￥2,519.629 | ￥244,404 |
| 194 - 873 | ￥2,482.567 | ￥240,809 |
| 970 - 1358 | ￥2,445.536 | ￥237,217 |
| 1455 - 1843 | ￥2,408.464 | ￥233,621 |
| 1940 + | ￥2,371.423 | ￥230,028 |
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- RS品番:
- 188-5424
- メーカー型番:
- FM25VN10-G
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 1MB | |
| プロダクトタイプ | FRAM | |
| 構成 | 128K x 8 bit | |
| インタフェースタイプ | SPI | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 18ns | |
| 最大クロック周波数 | 40MHz | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 長さ | 4.97mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.98 mm | |
| 高さ | 1.47mm | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 最小電源電圧 | 2V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| ワード数 | 128k | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 1MB | ||
プロダクトタイプ FRAM | ||
構成 128K x 8 bit | ||
インタフェースタイプ SPI | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 18ns | ||
最大クロック周波数 40MHz | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
長さ 4.97mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.98 mm | ||
高さ 1.47mm | ||
動作温度 Max 85°C | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
最小電源電圧 2V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
ワード数 128k | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
- COO（原産国）:
- US
FRAM、サイプレス半導体
強誘電体RAM（ F-RAM ）はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。
不揮発性強誘電体RAMメモリ
高速書き込み
高耐久性
低消費電力
FRAM (強誘電体RAM)
FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。