Infineon FRAM, 4 kB, SOIC, SPI, 8-Pin, FM25040B-G
- RS品番:
- 125-4218
- メーカー型番:
- FM25040B-G
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥1,063.00
(税抜)
￥1,169.30
(税込)
あと15 個で送料無料になります
在庫あり
- 10 は 2026年2月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | ￥212.60 | ￥1,063 |
| 25 - 45 | ￥209.40 | ￥1,047 |
| 50 - 60 | ￥206.40 | ￥1,032 |
| 65 - 75 | ￥203.20 | ￥1,016 |
| 80 + | ￥200.20 | ￥1,001 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 125-4218
- メーカー型番:
- FM25040B-G
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | FRAM | |
| メモリサイズ | 4kB | |
| 構成 | 512 x 8 bit | |
| インタフェースタイプ | SPI | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 20ns | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大クロック周波数 | 20MHz | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 長さ | 4.97mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.98 mm | |
| 高さ | 1.38mm | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| ワード数 | 512 | |
| 最小電源電圧 | 4.5V | |
| 最大電源電圧 | 5.5V | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ FRAM | ||
メモリサイズ 4kB | ||
構成 512 x 8 bit | ||
インタフェースタイプ SPI | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 20ns | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大クロック周波数 20MHz | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
長さ 4.97mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.98 mm | ||
高さ 1.38mm | ||
動作温度 Max 85°C | ||
ワード数 512 | ||
最小電源電圧 4.5V | ||
最大電源電圧 5.5V | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
FRAM、サイプレス半導体
強誘電体RAM（ F-RAM ）はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。
不揮発性強誘電体RAMメモリ
高速書き込み
高耐久性
低消費電力
FRAM (強誘電体RAM)
FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。