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半導体
メモリチップ・不揮発性メモリ・揮発性メモリ
FRAM・FeRAM・強誘電体メモリ
Infineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, SPI, FM25L16B-G
RS品番:
125-4226
メーカー型番:
FM25L16B-G
メーカー/ブランド名:
Infineon
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RS品番:
125-4226
メーカー型番:
FM25L16B-G
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
FM25L16B-G Datasheet
RoHSステータス: 適合
FRAM、サイプレス半導体
強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。
不揮発性強誘電体RAMメモリ
高速書き込み
高耐久性
低消費電力
16 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 2 K x 8 として構成されています
高耐久性: 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )
周波数:最大 20 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 ( 0 、 0 )及びモード 3 ( 1 、 1 )をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
低消費電力
アクティブ電流: 200 μ A @ 1 MHz
スタンバイ電流: 3 μ A (標準
低電圧動作: VDD = 2.7 → 3.6 V
産業用温度: -40 → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
FRAM (強誘電体RAM)
FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。
特性
メモリサイズ
16kbit
構成
2 K x 8ビット
インターフェースタイプ
SPI
データバス幅
8bit
最大ランダムアクセス時間
20ns
実装タイプ
表面実装
パッケージタイプ
SOIC
ピン数
8
寸法
4.97 x 3.98 x 1.48mm
長さ
4.97mm
動作供給電圧 Max
3.6 V
幅
3.98mm
高さ
1.48mm
動作温度 Max
+85 °C
自動車規格
AEC-Q100
1ワード当たりのビット数
8bit
ワード数
2K
動作供給電圧 Min
2.7 V
動作温度 Min
-40 °C
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