Infineon FRAM, 4 kB, SOIC, SPI, 8-Pin

RS品番:: 181-8248
メーカー型番:: FM25L04B-GTR
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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個	単価	購入単位毎合計*
2500 - 2500	￥160.588	￥401,470
5000 - 22500	￥158.762	￥396,905
25000 - 35000	￥158.26	￥395,650
37500 - 47500	￥157.759	￥394,398
50000 +	￥157.266	￥393,165

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RS品番:: 181-8248
メーカー型番:: FM25L04B-GTR
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	FRAM
	メモリサイズ	4kB
	構成	512M x 8 Bit
	インタフェースタイプ	SPI
	データバス幅	8bit
	最大ランダムアクセス時間	20ns
	最大クロック周波数	20MHz
	取付タイプ	表面
	パッケージ型式	SOIC
	ピン数	8
	高さ	1.38mm
	長さ	4.97mm
	規格 / 承認	No
	幅	3.98 mm
	動作温度 Max	85°C
	動作温度 Min	-40°C
	最小電源電圧	2.7V
	1ワード当たりのビット数	8
	ワード数	512M
	自動車規格	AEC-Q100
	最大電源電圧	3.6V

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ FRAM
	メモリサイズ 4kB
	構成 512M x 8 Bit
	インタフェースタイプ SPI
	データバス幅 8bit
	最大ランダムアクセス時間 20ns
	最大クロック周波数 20MHz
	取付タイプ表面
	パッケージ型式 SOIC
	ピン数 8
	高さ 1.38mm
	長さ 4.97mm
	規格 / 承認 No
	幅 3.98 mm
	動作温度 Max 85°C
	動作温度 Min -40°C
	最小電源電圧 2.7V
	1ワード当たりのビット数 8
	ワード数 512M
	自動車規格 AEC-Q100
	最大電源電圧 3.6V

Datasheet FM25L04B-GTR

4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 512 x 8 として構成されています

高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持 NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）

周波数：最大 20 MHz

シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護

1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

低消費電力

200  A アクティブ電流 @ 1 MHz

スタンバイ電流： 3  A （標準

低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V

産業温度： -40 ° C → +85 ° C

パッケージ

8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ

8 ピン薄型デュアルフラットノーリード（ DFN ）パッケージです