Infineon FRAM, 4 MB, DFN, SPI, 8-Pin

RS品番:: 181-1548
メーカー型番:: CY15B104Q-LHXI
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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ボリュームディスカウント対象商品

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個	単価	1チューブあたりの価格*
74 - 74	￥4,115.23	￥304,527
148 - 666	￥4,054.716	￥300,049
740 - 1036	￥3,994.203	￥295,571
1110 - 1406	￥3,933.662	￥291,091
1480 +	￥3,873.149	￥286,613

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RS品番:: 181-1548
メーカー型番:: CY15B104Q-LHXI
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	FRAM
	メモリサイズ	4MB
	構成	512kB x 8 Bit
	インタフェースタイプ	SPI
	データバス幅	8bit
	最大ランダムアクセス時間	16ns
	取付タイプ	表面
	最大クロック周波数	40MHz
	パッケージ型式	DFN
	ピン数	8
	長さ	5mm
	高さ	0.75mm
	規格 / 承認	No
	幅	6 mm
	動作温度 Max	85°C
	1ワード当たりのビット数	8
	自動車規格	なし
	動作温度 Min	-40°C
	ワード数	512K
	最小電源電圧	2V
	最大電源電圧	3.6V

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ FRAM
	メモリサイズ 4MB
	構成 512kB x 8 Bit
	インタフェースタイプ SPI
	データバス幅 8bit
	最大ランダムアクセス時間 16ns
	取付タイプ表面
	最大クロック周波数 40MHz
	パッケージ型式 DFN
	ピン数 8
	長さ 5mm
	高さ 0.75mm
	規格 / 承認 No
	幅 6 mm
	動作温度 Max 85°C
	1ワード当たりのビット数 8
	自動車規格なし
	動作温度 Min -40°C
	ワード数 512K
	最小電源電圧 2V
	最大電源電圧 3.6V

4 M ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）論理

512 K x 8 として構成

高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）

周波数：最大 40 MHz

シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護

1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

デバイス ID

メーカー ID と製品 ID

低消費電力

300  A アクティブ電流 @ 1 MHz

スタンバイ電流： 100  A （標準

スリープモード電流： 3  A （標準

低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V

産業用温度： -40 → +85 ° C

パッケージ

8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ

8 ピン薄型デュアルフラット NO リード（ TDFN ）パッケージ