Infineon FRAMメモリ, 4Mbit, DFN, シリアル-SPI, CY15B104Q-LHXI

4 M ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）論理
512 K x 8 として構成
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 40 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
デバイス ID
メーカー ID と製品 ID
低消費電力
300  A アクティブ電流 @ 1 MHz
スタンバイ電流： 100  A （標準
スリープモード電流： 3  A （標準
低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラット NO リード（ TDFN ）パッケージ