Infineon FRAM, 4 MB, DFN, SPI, 8-Pin, CY15B104Q-LHXI

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梱包形態
RS品番:
181-1574
メーカー型番:
CY15B104Q-LHXI
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

FRAM

メモリサイズ

4MB

構成

512kB x 8 Bit

インタフェースタイプ

SPI

データバス幅

8bit

最大ランダムアクセス時間

16ns

取付タイプ

表面

最大クロック周波数

40MHz

パッケージ型式

DFN

ピン数

8

規格 / 承認

No

長さ

5mm

6 mm

高さ

0.75mm

動作温度 Max

85°C

1ワード当たりのビット数

8

ワード数

512K

最大電源電圧

3.6V

最小電源電圧

2V

自動車規格

なし

動作温度 Min

-40°C

4 M ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )論理

512 K x 8 として構成

高耐久性: 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )

周波数:最大 40 MHz

シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

SPI モード 0 ( 0 、 0 )及びモード 3 ( 1 、 1 )をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護

1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

デバイス ID

メーカー ID と製品 ID

低消費電力

300  A アクティブ電流 @ 1 MHz

スタンバイ電流: 100  A (標準

スリープモード電流: 3  A (標準

低電圧動作: VDD = 2.0 → 3.6 V

産業用温度: -40 → +85 ° C

パッケージ

8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ

8 ピン薄型デュアルフラット NO リード( TDFN )パッケージ

4 M ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )論理

512 K x 8 として構成

高耐久性: 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )

周波数:最大 40 MHz

シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

SPI モード 0 ( 0 、 0 )及びモード 3 ( 1 、 1 )をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護

1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

デバイス ID

メーカー ID と製品 ID

低消費電力

300  A アクティブ電流 @ 1 MHz

スタンバイ電流: 100  A (標準

スリープモード電流: 3  A (標準

低電圧動作: VDD = 2.0 → 3.6 V

産業用温度: -40 → +85 ° C

パッケージ

8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ

8 ピン薄型デュアルフラット NO リード( TDFN )パッケージ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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