インフィニオン FRAMメモリ, 4Mbit, DFN, シリアル-SPI, CY15B104Q-LHXI

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梱包形態
RS品番:
181-1574
メーカー型番:
CY15B104Q-LHXI
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

メモリサイズ

4Mbit

構成

512 kB x 8

インターフェースタイプ

シリアル-SPI

データバス幅

8bit

最大ランダムアクセス時間

16ns

実装タイプ

表面実装

パッケージタイプ

DFN

ピン数

8

寸法

6 x 5 x 0.7mm

長さ

5mm

動作供給電圧 Max

3.6 V

6mm

高さ

0.7mm

動作温度 Max

+85 °C

動作温度 Min

-40 °C

動作供給電圧 Min

2 V

ワード数

512K

1ワード当たりのビット数

8bit

4 M ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )論理
512 K x 8 として構成
高耐久性: 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )
周波数:最大 40 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 ( 0 、 0 )及びモード 3 ( 1 、 1 )をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
デバイス ID
メーカー ID と製品 ID
低消費電力
300  A アクティブ電流 @ 1 MHz
スタンバイ電流: 100  A (標準
スリープモード電流: 3  A (標準
低電圧動作: VDD = 2.0 → 3.6 V
産業用温度: -40 → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラット NO リード( TDFN )パッケージ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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