Infineon FRAM, 128 kB, SOIC, 8-Pin

RS品番:: 181-1553
メーカー型番:: FM24V01A-G
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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485 - 873	￥318.00	￥30,846
970 - 2328	￥313.247	￥30,385
2425 - 4753	￥308.505	￥29,925
4850 +	￥303.753	￥29,464

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RS品番:: 181-1553
メーカー型番:: FM24V01A-G
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	メモリサイズ	128kB
	プロダクトタイプ	FRAM
	構成	16kB x 8 Bit
	データバス幅	8bit
	最大ランダムアクセス時間	450ns
	最大クロック周波数	3.4MHz
	取付タイプ	表面
	パッケージ型式	SOIC
	ピン数	8
	規格 / 承認	No
	幅	3.98 mm
	長さ	4.97mm
	高さ	1.38mm
	動作温度 Max	85°C
	1ワード当たりのビット数	8
	最小電源電圧	2V
	ワード数	16k
	自動車規格	AEC-Q100
	動作温度 Min	-40°C
	最大電源電圧	3.6V

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	メモリサイズ 128kB
	プロダクトタイプ FRAM
	構成 16kB x 8 Bit
	データバス幅 8bit
	最大ランダムアクセス時間 450ns
	最大クロック周波数 3.4MHz
	取付タイプ表面
	パッケージ型式 SOIC
	ピン数 8
	規格 / 承認 No
	幅 3.98 mm
	長さ 4.97mm
	高さ 1.38mm
	動作温度 Max 85°C
	1ワード当たりのビット数 8
	最小電源電圧 2V
	ワード数 16k
	自動車規格 AEC-Q100
	動作温度 Min -40°C
	最大電源電圧 3.6V

Datasheet

128 K ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）

論理的には 16K x 8 として構成されています

高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持 NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

■高速 2 線式シリアルインタフェース（ I

2c ）

最大 3.4 MHz の周波数 [1]

シリアル EEPROM の直接ハードウェア交換

従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします

デバイス ID

メーカー ID と製品 ID

低消費電力

175 -  A アクティブ電流 @ 100 kHz

スタンバイ電流： 150  A

8  A スリープモード電流

低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V

産業用温度： -40 → +85 ° C

8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ