Infineon FRAMメモリ, 128kbit, SOIC, シリアル-I2C, FM24V01A-G

128 K ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）
論理的には 16K x 8 として構成されています
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
■高速 2 線式シリアルインタフェース（ I
2c ）
最大 3.4 MHz の周波数 [1]
シリアル EEPROM の直接ハードウェア交換
従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします
デバイス ID
メーカー ID と製品 ID
低消費電力
175 -  A アクティブ電流 @ 100 kHz
スタンバイ電流： 150  A
8  A スリープモード電流
低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。