Infineon FRAM, 64 kB, SOIC, 14-Pin

RS品番:: 181-7458
メーカー型番:: FM31L276-G
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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個	単価	1チューブあたりの価格*
56 - 224	￥1,212.786	￥67,916
280 - 504	￥1,194.946	￥66,917
560 - 1344	￥1,177.125	￥65,919
1400 - 2744	￥1,159.286	￥64,920
2800 +	￥1,141.446	￥63,921

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RS品番:: 181-7458
メーカー型番:: FM31L276-G
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	FRAM
	メモリサイズ	64kB
	構成	8K x 8 bit
	データバス幅	8bit
	最大ランダムアクセス時間	3000ns
	最大クロック周波数	1MHz
	取付タイプ	表面
	パッケージ型式	SOIC
	ピン数	14
	高さ	1.48mm
	長さ	8.73mm
	幅	3.98 mm
	規格 / 承認	No
	動作温度 Max	85°C
	最大電源電圧	3.6V
	自動車規格	AEC-Q100
	動作温度 Min	-40°C
	最小電源電圧	2.7V
	ワード数	8K
	1ワード当たりのビット数	8

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ FRAM
	メモリサイズ 64kB
	構成 8K x 8 bit
	データバス幅 8bit
	最大ランダムアクセス時間 3000ns
	最大クロック周波数 1MHz
	取付タイプ表面
	パッケージ型式 SOIC
	ピン数 14
	高さ 1.48mm
	長さ 8.73mm
	幅 3.98 mm
	規格 / 承認 No
	動作温度 Max 85°C
	最大電源電圧 3.6V
	自動車規格 AEC-Q100
	動作温度 Min -40°C
	最小電源電圧 2.7V
	ワード数 8K
	1ワード当たりのビット数 8

Datasheet FM31L276-G

64 K ビット / 256 K ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）

8 K x 8 （ FM31L276 ） / として論理的に構成されています

32K x 8 （ FM31L278 ）

高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

高集積デバイスは複数のパーツに取って代わるものです

シリアル不揮発性メモリ

リアルタイムクロック(RTC)

低電圧リセット

ウォッチドッグタイマ

早期電源障害警告 / NMI

2 つの 16 ビットイベントカウンタ

セキュリティのための書き込みロック付きシリアル番号

リアルタイムクロック / カレンダー

バックアップ電流 @ 2 V ： 1.15  A @ +25 ° C

BCD 形式の秒から世紀

Leap year を 2099 まで追跡します

標準の 32.768 kHz 水晶（ 6 pF / 12.5 pF ）を使用

ソフトウェアキャリブレーション

バッテリ又はコンデンサのバックアップに対応

プロセッサコンパニオン

VDD 及びウォッチドッグ用のアクティブローリセット出力です

プログラム可能な低 VDD リセットトリップポイント

手動リセットのフィルタ処理とデバウンス

プログラム可能なウォッチドッグタイマです

デュアルバッテリバックアップイベントカウンタは、システムへの侵入やその他のイベントを追跡します

パワーフェイル割り込み用のコンパレータです

ロック付きの 64 ビットプログラマブルシリアル番号

高速 2 線シリアルインターフェイス（ I2C ）

周波数：最大 1 MHz

従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします

RTC 、 I 経由で制御されたスーパーバイザ

2C インターフェイス

デバイス選択ピンは、最大 4 つのメモリデバイスに対応します

低消費電力

アクティブ電流： 1.5 mA @ 1 MHz

120  A スタンバイ電流

動作電圧： VDD = 2.7 → 3.6 V

産業温度： -40 ° C → +85 ° C