Infineon FRAM, 64 kB, SOIC, 8-Pin
- RS品番:
- 181-7438
- メーカー型番:
- CY15B064J-SXE
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 485 - 873 | ¥576.412 | ¥55,912 |
| 970 - 2328 | ¥564.67 | ¥54,773 |
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- RS品番:
- 181-7438
- メーカー型番:
- CY15B064J-SXE
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | FRAM | |
| メモリサイズ | 64kB | |
| 構成 | 8K x 8 bit | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 3000ns | |
| 最大クロック周波数 | 1MHz | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 3.8mm | |
| 幅 | 4.8 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 最小電源電圧 | 2V | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| ワード数 | 8K | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ FRAM | ||
メモリサイズ 64kB | ||
構成 8K x 8 bit | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 3000ns | ||
最大クロック周波数 1MHz | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 3.8mm | ||
幅 4.8 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
動作温度 Max 125°C | ||
最小電源電圧 2V | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
ワード数 8K | ||
動作温度 Min -40°C | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
- COO(原産国):
- US
64 K ビットのフェロ電子ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 8 K x 8 として構成されています
高耐久性の 10 兆( 1013 )の読み取り / 書き込み
121 年のデータ保持(データ保持及び耐久性の表を参照)
No Delay ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高速 2 線シリアルインターフェース( I2C )
周波数:最大 1 MHz
シリアル( I2C ) EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします
低消費電力
120 A (標準)アクティブ電流 @ 100 kHz
スタンバイ電流: 6 A (標準
電圧動作: VDD = 3.0 → 3.6 V
車載用 - E 温度: -40 ° C → +125 ° C
8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ
64 K ビットのフェロ電子ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 8 K x 8 として構成されています
高耐久性の 10 兆( 1013 )の読み取り / 書き込み
121 年のデータ保持(データ保持及び耐久性の表を参照)
No Delay ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高速 2 線シリアルインターフェース( I2C )
周波数:最大 1 MHz
シリアル( I2C ) EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします
低消費電力
120 A (標準)アクティブ電流 @ 100 kHz
スタンバイ電流: 6 A (標準
電圧動作: VDD = 3.0 → 3.6 V
車載用 - E 温度: -40 ° C → +125 ° C
8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ
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