Infineon FRAMメモリ, 64kbit, SOIC, シリアル-I2C, CY15B064J-SXE
- RS品番:
- 181-7555
- メーカー型番:
- CY15B064J-SXE
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
一時的な在庫切れ - 2025/07/17に入荷し、その後4営業日でお届け予定
単価: 購入単位は2個
¥795.00
(税抜)
¥874.50
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
2 - 2 | ¥795.00 | ¥1,590.00 |
4 - 38 | ¥770.00 | ¥1,540.00 |
40 - 58 | ¥745.00 | ¥1,490.00 |
60 - 78 | ¥645.00 | ¥1,290.00 |
80 + | ¥620.00 | ¥1,240.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 181-7555
- メーカー型番:
- CY15B064J-SXE
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
データシート
その他
- COO(原産国):
- US
詳細情報
64 K ビットのフェロ電子ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 8 K x 8 として構成されています
高耐久性の 10 兆( 1013 )の読み取り / 書き込み
121 年のデータ保持(データ保持及び耐久性の表を参照)
No Delay ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高速 2 線シリアルインターフェース( I2C )
周波数:最大 1 MHz
シリアル( I2C ) EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします
低消費電力
120 A (標準)アクティブ電流 @ 100 kHz
スタンバイ電流: 6 A (標準
電圧動作: VDD = 3.0 → 3.6 V
車載用 - E 温度: -40 ° C → +125 ° C
8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ
高耐久性の 10 兆( 1013 )の読み取り / 書き込み
121 年のデータ保持(データ保持及び耐久性の表を参照)
No Delay ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高速 2 線シリアルインターフェース( I2C )
周波数:最大 1 MHz
シリアル( I2C ) EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします
低消費電力
120 A (標準)アクティブ電流 @ 100 kHz
スタンバイ電流: 6 A (標準
電圧動作: VDD = 3.0 → 3.6 V
車載用 - E 温度: -40 ° C → +125 ° C
8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ
仕様
特性 | |
---|---|
メモリサイズ | 64kbit |
構成 | 8 K x 8ビット |
インターフェースタイプ | シリアル-I2C |
データバス幅 | 8bit |
最大ランダムアクセス時間 | 3000ns |
実装タイプ | 表面実装 |
パッケージタイプ | SOIC |
ピン数 | 8 |
寸法 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
長さ | 4.97mm |
動作供給電圧 Max | 3.6 V |
幅 | 3.98mm |
高さ | 1.48mm |
動作温度 Max | +125 °C |
ワード数 | 8K |
動作温度 Min | -40 °C |
動作供給電圧 Min | 2 V |
自動車規格 | AEC-Q100 |
1ワード当たりのビット数 | 8bit |
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